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IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

Numéro d'article

IPU50R1K4CEBKMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO251-3

Dissipation de puissance (maximum)

25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 13V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

178pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Vgs (Max)

±20V

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