Acheter GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 TRANS SJT 1.7KV 100A

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

GA50JT17-247

TRANS SJT 1.7KV 100A

Numéro d'article

GA50JT17-247

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247

Dissipation de puissance (maximum)

583W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1700V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 8984 PCS

Coordonnées