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GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A

Numéro d'article

GA50JT06-258

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 225°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-258-3, TO-258AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-258

Dissipation de puissance (maximum)

769W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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