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GA20JT12-263

TRANS SJT 1200V 45A

Numéro d'article

GA20JT12-263

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK (7-Lead)

Dissipation de puissance (maximum)

282W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

45A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 20A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3091pF @ 800V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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