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GA20JT12-247

TRANS SJT 1.2KV 20A

Numéro d'article

GA20JT12-247

Fabricant/Marque

GeneSiC Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247AB

Dissipation de puissance (maximum)

282W (Tc)

Type FET

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 20A

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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