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AGM-Semi (core control source)

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AGM614A-G

N-channel 60V 50A 10mΩ

Numéro d'article

AGM614A-G

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

PDFN5x6

Emballage

taping

Nombre de paquets

3000

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 17nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.86nF@15V, Vds=60V Id=50A Rds=10mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;

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