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AGM-Semi (core control source)

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AGM608C

N-channel 60V 90A 4.8mΩ

Numéro d'article

AGM608C

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

TO-220

Emballage

Tube

Nombre de paquets

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 90A Power (Pd): 54W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.28nF@30V, Vds=60V Id=90A Rds=4.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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