AGM-Semi (core control source)
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AGM6070A
AGM6070A
Numéro d'article
AGM6070A
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
PDFN5x6
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 76A Power (Pd): 89W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 7.0mΩ@10V, 20A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 92nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.9nF@30V, Vds=60v Id=76A Rds=7.0mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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