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VQ1001P

VQ1001P

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Numéro d'article
VQ1001P
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
-
Puissance - Max
2W
Package d'appareil du fournisseur
14-DIP
Type FET
4 N-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
830mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 15V
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Coordonnées
Mots-clés de VQ1001P
VQ1001P Composants électroniques
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