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SUB75P03-07-E3

SUB75P03-07-E3

MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
Numéro d'article
SUB75P03-07-E3
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263 (D2Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
75A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de SUB75P03-07-E3
SUB75P03-07-E3 Composants électroniques
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