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SQP10250E_GE3

MOSFET N-CH 250V TO-220AB

Numéro d'article

SQP10250E_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

250W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

53A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4050pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

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