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SQM10250E_GE3
MOSFET N-CHAN 250V TO-263
Numéro d'article
SQM10250E_GE3
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
TO-263 (D²Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
375W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
65A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4050pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
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