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SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Numéro d'article

SQJ262EP-T1_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8 Dual

Puissance - Max

27W (Tc), 48W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

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