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SQJ202EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

Numéro d'article

SQJ202EP-T1_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8 Dual

Puissance - Max

27W, 48W

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A, 60A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 6V

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