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SQD50N10-8M9L_GE3

MOSFET N-CHAN 100V TO252

Numéro d'article

SQD50N10-8M9L_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252

Dissipation de puissance (maximum)

136W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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