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SQ1420EEH-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

Numéro d'article

SQ1420EEH-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-6 (SOT-363)

Dissipation de puissance (maximum)

3.3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

215pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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