Acheter Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

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SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

Numéro d'article

SIZ200DT-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Puissance - Max

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur

8-PowerPair® (3.3x3.3)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

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