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SIUD412ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Numéro d'article

SIUD412ED-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 0806

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 0806

Dissipation de puissance (maximum)

1.25W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

500mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.71nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

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