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SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Numéro d'article
SISF00DN-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET® Gen IV
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® 1212-8SCD
Puissance - Max
69.4W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® 1212-8SCD
Type FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
60A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
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Mots-clés de SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Composants électroniques
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