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SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Numéro d'article

SIS612EDNT-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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