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SIS110DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Numéro d'article

SIS110DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8

Dissipation de puissance (maximum)

3.2W (Ta), 24W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.2A (Ta), 14.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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