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SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO
Numéro d'article
SIR871DP-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (maximum)
89W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
48A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3395pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de SIR871DP-T1-GE3
SIR871DP-T1-GE3 Composants électroniques
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