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SIR802DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Numéro d'article

SIR802DP-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

4.6W (Ta), 27.7W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1785pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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