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SIR866DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Numéro d'article
SIR866DP-T1-GE3
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (maximum)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
60A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4730pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
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Mots-clés de SIR866DP-T1-GE3
SIR866DP-T1-GE3 Composants électroniques
SIR866DP-T1-GE3 Ventes
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