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SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Numéro d'article
SIHS90N65E-E3
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
SUPER-247 (TO-274AA)
Dissipation de puissance (maximum)
625W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
87A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
591nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
11826pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3 Composants électroniques
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