L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
SIHF12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
Numéro d'article
SIHF12N50C-E3
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220 Full Pack
Dissipation de puissance (maximum)
36W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1375pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 5507 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de SIHF12N50C-E3
SIHF12N50C-E3 Composants électroniques
SIHF12N50C-E3 Ventes
SIHF12N50C-E3 Fournisseur
SIHF12N50C-E3 Distributeur
SIHF12N50C-E3 Tableau de données
SIHF12N50C-E3 Photos
SIHF12N50C-E3 Prix
SIHF12N50C-E3 Offre
SIHF12N50C-E3 Prix le plus bas
SIHF12N50C-E3 Recherche
SIHF12N50C-E3 Achat
SIHF12N50C-E3 Chip