L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
SIHA120N60E-GE3
MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Numéro d'article
SIHA120N60E-GE3
Fabricant/Marque
Série
E
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220 Full Pack
Dissipation de puissance (maximum)
34W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
25A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1562pF @ 100V
Vgs (Max)
±30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 6600 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de SIHA120N60E-GE3
SIHA120N60E-GE3 Composants électroniques
SIHA120N60E-GE3 Ventes
SIHA120N60E-GE3 Fournisseur
SIHA120N60E-GE3 Distributeur
SIHA120N60E-GE3 Tableau de données
SIHA120N60E-GE3 Photos
SIHA120N60E-GE3 Prix
SIHA120N60E-GE3 Offre
SIHA120N60E-GE3 Prix le plus bas
SIHA120N60E-GE3 Recherche
SIHA120N60E-GE3 Achat
SIHA120N60E-GE3 Chip