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SI8810EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Numéro d'article

SI8810EDB-T2-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-XFBGA

Package d'appareil du fournisseur

4-Microfoot

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

245pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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