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SI8805EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Numéro d'article

SI8805EDB-T2-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-XFBGA

Package d'appareil du fournisseur

4-Microfoot

Dissipation de puissance (maximum)

500mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

68 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

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