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SI4618DY-T1-E3

SI4618DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Numéro d'article
SI4618DY-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1.98W, 4.16W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A, 15.2A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1535pF @ 15V
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Coordonnées
Mots-clés de SI4618DY-T1-E3
SI4618DY-T1-E3 Composants électroniques
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