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SI4532ADY-T1-GE3

SI4532ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Numéro d'article
SI4532ADY-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1.13W, 1.2W
Package d'appareil du fournisseur
-
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.7A, 3A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Mots-clés de SI4532ADY-T1-GE3
SI4532ADY-T1-GE3 Composants électroniques
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