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SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Numéro d'article
SI4501ADY-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1.3W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
N and P-Channel, Common Drain
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V, 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.3A, 4.1A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Coordonnées
Mots-clés de SI4501ADY-T1-E3
SI4501ADY-T1-E3 Composants électroniques
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SI4501ADY-T1-E3 Fournisseur
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