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SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Numéro d'article

SI3900DV-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Puissance - Max

830mW

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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