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SI3529DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Numéro d'article

SI3529DV-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Puissance - Max

1.4W

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.5A, 1.95A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

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