Acheter Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SI3127DV-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

Numéro d'article

SI3127DV-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

833pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 54729 PCS

Coordonnées