Acheter Vishay Siliconix SI2327DS-T1-E3 MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

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SI2327DS-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Numéro d'article

SI2327DS-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

750mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

380mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.35 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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