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SI2301A-TP

SI2301A-TP

P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Numéro d'article
SI2301A-TP
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
1.25W
Type FET
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.8A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 6V
Vgs (Max)
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
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Coordonnées
Mots-clés de SI2301A-TP
SI2301A-TP Composants électroniques
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