Acheter Vishay Siliconix SI2318DS-T1-E3 MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

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SI2318DS-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

Numéro d'article

SI2318DS-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

750mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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