L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Numéro d'article
SI2318DS-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipation de puissance (maximum)
750mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 51206 PCS
Coordonnées
Mots-clés de SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3 Composants électroniques
SI2318DS-T1-E3 Ventes
SI2318DS-T1-E3 Fournisseur
SI2318DS-T1-E3 Distributeur
SI2318DS-T1-E3 Tableau de données
SI2318DS-T1-E3 Photos
SI2318DS-T1-E3 Prix
SI2318DS-T1-E3 Offre
SI2318DS-T1-E3 Prix ​​le plus bas
SI2318DS-T1-E3 Recherche
SI2318DS-T1-E3 Achat
SI2318DS-T1-E3 Chip