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SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Numéro d'article
SI2305ADS-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipation de puissance (maximum)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 4V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de SI2305ADS-T1-E3
SI2305ADS-T1-E3 Composants électroniques
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SI2305ADS-T1-E3 Fournisseur
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