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SI1300BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3

Numéro d'article

SI1300BDL-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-70, SOT-323

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-3

Dissipation de puissance (maximum)

190mW (Ta), 200mW (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

400mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 250mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.84nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

35pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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