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IRFD9210PBF

IRFD9210PBF

MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Numéro d'article
IRFD9210PBF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareil du fournisseur
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
400mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRFD9210PBF
IRFD9210PBF Composants électroniques
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