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IRFD020PBF

MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP

Numéro d'article

IRFD020PBF

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Package d'appareil du fournisseur

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

50V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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