Acheter Vishay Siliconix IRFD113PBF MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRFD113PBF

MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

Numéro d'article

IRFD113PBF

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Package d'appareil du fournisseur

4-HVMDIP

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

800mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 44668 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP