Acheter Vishay Siliconix 2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

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2N7002K-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Numéro d'article

2N7002K-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236

Dissipation de puissance (maximum)

350mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

300mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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