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2N7000,126

MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92

Numéro d'article

2N7000,126

Fabricant/Marque

NXP USA Inc.

Série

TrenchMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Box (TB)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

830mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

300mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±30V

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