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2N6660

2N6660

MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
Numéro d'article
2N6660
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Package d'appareil du fournisseur
TO-205AD (TO-39)
Dissipation de puissance (maximum)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
990mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de 2N6660
2N6660 Composants électroniques
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