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TPH3212PS

MOSFET N-CH 650V 27A TO220

Numéro d'article

TPH3212PS

Fabricant/Marque

Transphorm

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220

Dissipation de puissance (maximum)

104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

27A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 17A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.6V @ 400uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±18V

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