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TPH3205WSB

TPH3205WSB

MOSFET N-CH 650V 36A TO247
Numéro d'article
TPH3205WSB
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Emballage
Tube
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-247
Dissipation de puissance (maximum)
125W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
36A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 22A, 8V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.6V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 400V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Vgs (Max)
±18V
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Coordonnées
Mots-clés de TPH3205WSB
TPH3205WSB Composants électroniques
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TPH3205WSB Fournisseur
TPH3205WSB Distributeur
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