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TPH3208LSG

MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Numéro d'article

TPH3208LSG

Fabricant/Marque

Transphorm

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-PowerDFN

Package d'appareil du fournisseur

3-PQFN (8x8)

Dissipation de puissance (maximum)

96W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 14A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.6V @ 300µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±18V

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