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TPH3206LDB

MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Numéro d'article

TPH3206LDB

Fabricant/Marque

Transphorm

Série

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Tube

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-PowerDFN

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (8x8)

Dissipation de puissance (maximum)

81W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.6V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 480V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±18V

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